IRFB9N65APBF-BE3-HXY

该N沟道场效应管最大漏极电流为10A， 漏源击穿电压达650V， 导通电阻典型值为860mΩ， 栅源耐压支持±30V。 器件适用于高压开关拓扑， 如离线式电源适配器和照明驱动电路， 能在高电压环境下实现高效电能转换与信号控制， 满足对静态损耗和动态响应有严格要求的电子设备设计需求。