IRFB4410PBF-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具有70A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS）、8.5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）， 以及20V的栅源电压（VGS）额定值。 低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗， 同时支持高电流通过能力。 器件适用于高效率开关电源、电机驱动、直流-直流转换器等应用， 在高频开关操作中可维持良好的性能与热稳定性。