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IRFB38N20DPBF
自营可供
IC

TO-220AB

IRFB38N20DPBF

场效应管(MOSFET) 3.8W; 300W 200V 43A 1个N沟道

品牌

Infineon

封装

TO-220AB

交期

现货

批次

26+

IRFB38N20DPBF参数

封装TO-220AB
品牌Infineon(英飞凌)
批次26+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))54mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))5V
输入电容(Ciss)2.9nF
工作温度-55℃~+175℃
分类场效应管(MOSFET)
库存5,422
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)200V
耗散功率(Pd)300W
栅极电荷量(Qg)91nC@10V
反向传输电容(Crss)73pF
类型N沟道

IRFB38N20DPBF概述

场效应管(MOSFET) 3.8W; 300W 200V 43A 1个N沟道

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