IRFB11N50APBF-VB
IC
TO-220
可供量大可议
IRFB11N50APBF-VB
台积电流片， 长电封测。 N沟道, 𮧂 𢺫 򏟋 V, 󗙻 򑵼 A, RDS(ON), 󺺆 򬓹 򏟋 mΩ@󗙻 򏟋 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V)； 򬓹 񄂹 𢺫 Vth(V) 封装：TO򘞟 򘞟 򏟋 由于其较高的漏极-源极电压和导通电流能力， 适用于工业电源模块中的开关电源和逆变器。
品牌
VBsemi
封装
TO-220
库存
10
货期
现货
IRFB11N50APBF-VB参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
| 批次 | 25+ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
IRFB11N50APBF-VB概述
台积电流片， 长电封测。 N沟道, 𮧂 𢺫 򏟋 V, 󗙻 򑵼 A, RDS(ON), 󺺆 򬓹 򏟋 mΩ@󗙻 򏟋 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V)； 򬓹 񄂹 𢺫 Vth(V) 封装：TO򘞟 򘞟 򏟋 由于其较高的漏极-源极电压和导通电流能力， 适用于工业电源模块中的开关电源和逆变器。
IRFB11N50APBF-VB特性
暂无产品特性。
IRFB11N50APBF-VB应用领域
暂无应用领域。