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IRF9Z34SPBF
IC

D2PAK(TO-263)

可供量大可议

IRF9Z34SPBF

第三代功率MOSFET采用先进的加工技术, 以实现单位硅片面积极低的导通电阻。 这一优势, 再结合功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计, 为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件, 可广泛应用于各种领域。 D2PAK是一种表面贴装功率封装, 能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片

品牌

VISHAY

封装

D2PAK(TO-263)

库存

2

货期

现货

IRF9Z34SPBF参数

封装D2PAK(TO-263)
品牌VISHAY(威世)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存2

IRF9Z34SPBF概述

第三代功率MOSFET采用先进的加工技术, 以实现单位硅片面积极低的导通电阻。 这一优势, 再结合功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计, 为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件, 可广泛应用于各种领域。 D2PAK是一种表面贴装功率封装, 能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片

IRF9Z34SPBF特性

暂无产品特性。

IRF9Z34SPBF应用领域

暂无应用领域。

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