IRF9Z34NSTRLPBF-VB
IC
TO-263
可供量大可议
IRF9Z34NSTRLPBF-VB
台积电流片， 长电科技封装； TO263； P—Channel沟道, -60V； -30A； RDS(ON)=64mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-3V； 是一款一款单P型场效应管， 采用Trench工艺制造， 具备可靠性和性能稳定性。 适用于广泛的领域和模块， 包括电源管理、电动工具、电路保护、电源逆变和汽车电子等， 为各种应用提供稳定可靠的性能和高效能的操作。
品牌
VBsemi
封装
TO-263
库存
35
货期
现货
IRF9Z34NSTRLPBF-VB参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 35 |
IRF9Z34NSTRLPBF-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； TO263； P—Channel沟道, -60V； -30A； RDS(ON)=64mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-3V； 是一款一款单P型场效应管， 采用Trench工艺制造， 具备可靠性和性能稳定性。 适用于广泛的领域和模块， 包括电源管理、电动工具、电路保护、电源逆变和汽车电子等， 为各种应用提供稳定可靠的性能和高效能的操作。
IRF9Z34NSTRLPBF-VB特性
暂无产品特性。
IRF9Z34NSTRLPBF-VB应用领域
暂无应用领域。