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IRF9520NSTRR-VB
IC

TO-263(D2PAK)

可供量大可议

IRF9520NSTRR-VB

台积电流片, 长电科技封装; TO263; P—Channel沟道; -100V; -12A; RDS(ON)=200(mΩ)@VGS=10V; VGS=±20V; Vth=-2V; 采用Trench技术

品牌

VBsemi

封装

TO-263(D2PAK)

库存

51

货期

现货

IRF9520NSTRR-VB参数

封装TO-263(D2PAK)
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存51

IRF9520NSTRR-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; TO263; P—Channel沟道; -100V; -12A; RDS(ON)=200(mΩ)@VGS=10V; VGS=±20V; Vth=-2V; 采用Trench技术

IRF9520NSTRR-VB特性

暂无产品特性。

IRF9520NSTRR-VB应用领域

暂无应用领域。

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