IRF9395MTRPBF
IC
MG-DSON-8(4.9x6.3)mm
可供量大可议
IRF9395MTRPBF
IRF9395MTRPbF将最新的HEXFET P沟道功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET™封装相结合， 在尺寸与SO - 8相同且高度仅为0.6mm的封装中实现了最低的导通电阻。 当遵循应用笔记AN - 1035中有关制造方法和工艺的说明时， DirectFET封装可与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。
品牌
Infineon
封装
MG-DSON-8(4.9x6.3)mm
库存
19
货期
现货
IRF9395MTRPBF参数
| 封装 | MG-DSON-8(4.9x6.3)mm |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 19 |
IRF9395MTRPBF概述
IRF9395MTRPbF将最新的HEXFET P沟道功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET™封装相结合， 在尺寸与SO - 8相同且高度仅为0.6mm的封装中实现了最低的导通电阻。 当遵循应用笔记AN - 1035中有关制造方法和工艺的说明时， DirectFET封装可与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。
IRF9395MTRPBF特性
暂无产品特性。
IRF9395MTRPBF应用领域
暂无应用领域。