IRF9388TRPBF-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
IRF9388TRPBF-HXY
这款消费级P沟道MOSFET采用SOP-8封装， 具有30V的额定电压和12A的连续电流处理能力， 适用于各种低至中等功率的应用场景， 如电源管理、负载切换及反向电流保护等。 其小型化设计兼顾高效能与空间节省需求， 是现代电子设备的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
50
货期
现货
IRF9388TRPBF-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 206pF |
| 配置 | 独立式 |
| 输出电容(Coss) | 233pF |
| 商品型号 | IRF9388TRPBF-HXY |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000125 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 输入电容(Ciss) | 1.77nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 类型 | P沟道 |
| 商品名称 | 1个P沟道 耐压:30V 电流:12A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
IRF9388TRPBF-HXY概述
IRF9388TRPBF采用先进的沟槽技术， 可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷， 并能在低至4.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。 封装形式为SOP - 8。
IRF9388TRPBF-HXY特性
- 漏源电压VDS = -30V， 漏极电流ID = -12A
- 当栅源电压VGS = 10V时， 导通电阻RDS(ON) < 15mΩ
- P沟道MOSFET
IRF9388TRPBF-HXY应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源