IRF9383MTRPBF
IC
MG-WDSON-5
可供量大可议
IRF9383MTRPBF
IRF9383MTRPbF将最新的HEXFET P沟道功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装相结合， 在具有SO - 8封装尺寸且厚度仅为0.6 mm的封装中实现了最低的导通电阻。 当遵循应用笔记AN - 1035中有关制造方法和工艺的说明时， DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。
品牌
Infineon
封装
MG-WDSON-5
库存
15
货期
现货
IRF9383MTRPBF参数
| 封装 | MG-WDSON-5 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 15 |
IRF9383MTRPBF概述
IRF9383MTRPbF将最新的HEXFET P沟道功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装相结合， 在具有SO - 8封装尺寸且厚度仅为0.6 mm的封装中实现了最低的导通电阻。 当遵循应用笔记AN - 1035中有关制造方法和工艺的说明时， DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。
IRF9383MTRPBF特性
暂无产品特性。
IRF9383MTRPBF应用领域
暂无应用领域。