IRF9358PBF-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
IRF9358PBF-HXY
IRF9358PbF 型号MOS管采用行业标准SOP-8封装, 内置先进2个P沟道沟道技术, 为高功率应用量身定制。 器件具有30V的漏源耐压(VDSS), 能可靠处理高达11A的连续漏极电流(ID), 适应高强度电流环境。 其核心技术亮点是仅14mR的超低导通电阻(RD(on)), 有效提升了电力传输效率, 并降低了系统损耗。 该MOS管广泛应用于电源转换、电机驱动、及各种大电流开关控制系统, 助您实现更高效、更节能的电子设计方案。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
3,180
货期
现货
IRF9358PBF-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3180 |
IRF9358PBF-HXY概述
IRF9358PbF 型号MOS管采用行业标准SOP-8封装, 内置先进2个P沟道沟道技术, 为高功率应用量身定制。 器件具有30V的漏源耐压(VDSS), 能可靠处理高达11A的连续漏极电流(ID), 适应高强度电流环境。 其核心技术亮点是仅14mR的超低导通电阻(RD(on)), 有效提升了电力传输效率, 并降低了系统损耗。 该MOS管广泛应用于电源转换、电机驱动、及各种大电流开关控制系统, 助您实现更高效、更节能的电子设计方案。
IRF9358PBF-HXY特性
暂无产品特性。
IRF9358PBF-HXY应用领域
暂无应用领域。
