IRF9328TRPBF-HXY

本款P沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源击穿电压（VDSS）， 支持最大连续漏极电流12A（ID）， 导通电阻仅为10mΩ（RDON）， 确保在高负载条件下仍能保持较低的导通损耗。 该器件适用于各类电源管理电路、开关稳压器、电池保护模块及便携式设备中的高效能转换系统， 具备良好的热稳定性和响应速度， 适合对空间与效率有较高要求的设计场景。