IRF9321TRPBF-HXY

本款P沟道场效应管（MOSFET）具备30V漏源耐压（VDSS）， 可承载最大连续漏极电流15A（ID）， 导通电阻低至5.8mΩ（RDON）， 有效降低导通状态下的功率损耗。 器件采用先进工艺制造， 具有优异的热稳定性和可靠性， 适用于各类电源转换、负载开关、电池管理系统及高效能DC-DC变换器等场景， 在高效率与小型化设计中表现突出。