IRF8721TRPBF-1-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
IRF8721TRPBF-1-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有15A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。 其较低的导通电阻有助于减小导通损耗， 提升系统效率， 适用于中等功率的电源管理、负载开关及电机驱动等应用。 器件在高频开关条件下仍能保持良好的性能稳定性， 适合对体积和热性能有一定要求的电子设备。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
85
货期
现货
IRF8721TRPBF-1-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 85 |
IRF8721TRPBF-1-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有15A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。 其较低的导通电阻有助于减小导通损耗， 提升系统效率， 适用于中等功率的电源管理、负载开关及电机驱动等应用。 器件在高频开关条件下仍能保持良好的性能稳定性， 适合对体积和热性能有一定要求的电子设备。
IRF8721TRPBF-1-HXY特性
暂无产品特性。
IRF8721TRPBF-1-HXY应用领域
暂无应用领域。