IRF8721GTRPBF-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
IRF8721GTRPBF-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有15A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及7.5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。 其低导通电阻有助于在开关和导通状态下减少功率损耗， 适用于对效率和热性能有要求的电源管理、电池供电系统及高频开关电路。 器件结构支持快速开关操作， 在紧凑型电子设备中可有效提升能效与可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
90
货期
现货
IRF8721GTRPBF-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
IRF8721GTRPBF-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有15A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及7.5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。 其低导通电阻有助于在开关和导通状态下减少功率损耗， 适用于对效率和热性能有要求的电源管理、电池供电系统及高频开关电路。 器件结构支持快速开关操作， 在紧凑型电子设备中可有效提升能效与可靠性。
IRF8721GTRPBF-HXY特性
暂无产品特性。
IRF8721GTRPBF-HXY应用领域
暂无应用领域。