IRF8714TRPBF
自营可供
IC
SO-8
IRF8714TRPBF
场效应管(MOSFET) 2.5W 30V 14A 1个N沟道
品牌
Infineon
封装
SO-8
交期
现货
批次
26+
IRF8714TRPBF参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.7mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.35V |
| 输入电容(Ciss) | 1.02nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:30V 电流:14A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10,679 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | IRF8714TRPBF |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000165 |
IRF8714TRPBF概述
场效应管(MOSFET) 2.5W 30V 14A 1个N沟道
IRF8714TRPBF特性
- 极低的栅极电荷
- 在4.5V VGS时具有极低的RDS(on)
- 超低的栅极阻抗
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 最大栅极额定电压为20V VGS
- 100%测试Rg
- 无铅
IRF8714TRPBF应用领域
- 用于笔记本电脑处理器供电的同步降压转换器的控制MOSFET
- 网络系统中隔离式DC-DC转换器的控制MOSFET