IRF8714GTRPBF-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备15A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。 器件在低电压、中等电流条件下表现出优异的导通性能， 适用于高效率电源转换、便携式设备供电系统以及各类开关电路。 其低导通电阻有助于降低功耗与温升， 提升整体系统能效， 适合对空间和热管理有要求的应用场合。