IRF840LCPBF

这一系列新型低电荷功率MOSFET与传统MOSFET相比， 可显著降低栅极电荷。 利用新的LCDMOS技术， 在不增加产品成本的情况下实现了器件的改进， 从而降低了栅极驱动要求并节省了系统总成本。 此外， 在各种高频应用中可实现更低的开关损耗和更高的效率。 使用新型低电荷MOSFET可在大电流下实现几MHz的频率。 这些器件的改进与功率MOSFET固有的耐用性和可靠性相结合， 为开关应用的设计者提供了一种新的功率晶体管标准。