IRF8313PBF-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
IRF8313PBF-HXY
IRF8313PbF 是一款高性能N+N沟道MOSFET， 采用小巧高效的SOP-8封装， 适合各类空间有限且对性能要求高的应用场景。 其关键特性包括VDSS耐压值高达30V， 可承载11.5A的强大连续漏极电流， 确保卓越的电力处理能力。 尤其值得一提的是， 这款MOS管具备优异的导通电阻性能， 仅有10mR的RD(on)， 大幅度降低了功耗并提升了系统能效。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
4
货期
现货
IRF8313PBF-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4 |
IRF8313PBF-HXY概述
IRF8313PbF 是一款高性能N+N沟道MOSFET， 采用小巧高效的SOP-8封装， 适合各类空间有限且对性能要求高的应用场景。 其关键特性包括VDSS耐压值高达30V， 可承载11.5A的强大连续漏极电流， 确保卓越的电力处理能力。 尤其值得一提的是， 这款MOS管具备优异的导通电阻性能， 仅有10mR的RD(on)， 大幅度降低了功耗并提升了系统能效。
IRF8313PBF-HXY特性
暂无产品特性。
IRF8313PBF-HXY应用领域
暂无应用领域。