IRF830STRLPBF
IC
D2PAK(TO-263)
可供量大可议
IRF830STRLPBF
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 D2PAK (TO-263) 是一种表面贴装功率封装， 能够容纳高达HEX-4的芯片尺寸。 它在任何现有的表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。 由于其较低的内部连接电阻， D2PAK (TO-263) 适用于大电流应用， 并且在典型的表面贴装应用中可以耗散高达2.0W的功率。
品牌
VISHAY
封装
D2PAK(TO-263)
库存
601
货期
现货
IRF830STRLPBF参数
| 封装 | D2PAK(TO-263) |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 601 |
IRF830STRLPBF概述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 D2PAK (TO-263) 是一种表面贴装功率封装， 能够容纳高达HEX-4的芯片尺寸。 它在任何现有的表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。 由于其较低的内部连接电阻， D2PAK (TO-263) 适用于大电流应用， 并且在典型的表面贴装应用中可以耗散高达2.0W的功率。
IRF830STRLPBF特性
暂无产品特性。
IRF830STRLPBF应用领域
暂无应用领域。