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IRF830PBF-VB
IC

TO-220AB

可供量大可议

IRF830PBF-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N型MOSFET, 采用Plannar技术, 适用于低频电源转换器、电机驱动器、汽车电子系统等领域。 TO220; N—Channel沟道, 600V; 8A; RDS(ON)=780mΩ@VGS=10V, VGS=30V; Vth=2~4V

品牌

VBsemi

封装

TO-220AB

库存

6

货期

现货

IRF830PBF-VB参数

封装TO-220AB
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存6

IRF830PBF-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N型MOSFET, 采用Plannar技术, 适用于低频电源转换器、电机驱动器、汽车电子系统等领域。 TO220; N—Channel沟道, 600V; 8A; RDS(ON)=780mΩ@VGS=10V, VGS=30V; Vth=2~4V

IRF830PBF-VB特性

暂无产品特性。

IRF830PBF-VB应用领域

暂无应用领域。

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