IRF830APBF-BE3-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备500V漏源击穿电压与4.5A连续漏极电流能力， 导通电阻典型值为1200mΩ， 栅源耐压可达30V。 其高电压耐受特性适用于高压开关电路、电源转换模块及照明驱动系统， 能够在严苛电气环境下实现高效电能控制， 满足各类电子设备对功率器件稳定性与可靠性的基础需求。