IRF8301MTRPBF
IC
DirectFET
可供量大可议
IRF8301MTRPBF
IRF8301MPbF 将最新的 HEXFET 功率 MOSFET 硅技术与先进的 DirectFET™ 封装相结合， 在具有 SO - 8 或 5x6mm PQFN 封装尺寸且高度仅为 0.7mm 的封装中实现了极低的导通电阻。 当遵循应用笔记 AN - 1035 中有关制造方法和工艺的说明时， DirectFET 封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB 组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。 DirectFET 封装支持双面散热， 可最大限度地提高电力系统中的热传递效率， 相比之前的最佳热阻降低了 80%
品牌
Infineon
封装
DirectFET
库存
66
货期
现货
IRF8301MTRPBF参数
| 封装 | DirectFET |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 66 |
IRF8301MTRPBF概述
IRF8301MPbF 将最新的 HEXFET 功率 MOSFET 硅技术与先进的 DirectFET™ 封装相结合， 在具有 SO - 8 或 5x6mm PQFN 封装尺寸且高度仅为 0.7mm 的封装中实现了极低的导通电阻。 当遵循应用笔记 AN - 1035 中有关制造方法和工艺的说明时， DirectFET 封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB 组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。 DirectFET 封装支持双面散热， 可最大限度地提高电力系统中的热传递效率， 相比之前的最佳热阻降低了 80%
IRF8301MTRPBF特性
暂无产品特性。
IRF8301MTRPBF应用领域
暂无应用领域。