IRF8113TRPBF-HXY

本N沟道场效应管（MOSFET）具备18A连续漏极电流能力， 漏源电压额定值为30V， 导通电阻仅为5mΩ， 支持高效、低损耗的功率切换与控制。 器件基于高密度沟槽工艺打造， 优化了开关速度与导通压降表现， 适用于各类电源变换装置、高性能计算设备供电模块、储能系统管理电路以及对空间与效率有较高要求的电子装置中， 满足现代电路设计对稳定性和集成度的需求。