IRF8113GTRPBF-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备18A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）仅为5毫欧， 栅源驱动电压（VGS）最高可达20V。 低导通电阻有效降低导通损耗， 提升系统效率， 适用于高电流、高频率的开关应用场景。 其电气特性适合用于电源转换、电池管理系统、便携式设备供电以及各类需要高效能功率控制的电子装置中。