IRF8113GPBF-HXY

本N沟道场效应管（MOSFET）具有18A的漏极电流容量和30V的漏源电压耐受能力， 适用于多种中高功率电子电路。 其导通电阻仅为5mΩ， 可显著降低导通损耗， 提升系统能效。 器件采用成熟封装技术， 具备良好的散热性能与长期工作稳定性， 适用于电源管理、开关变换、电机控制及各类电子设备中的功率调节模块， 为电路设计提供高效、可靠的支持。