IRF8010STRLPBF
IC
D2PAK
可供量大可议
IRF8010STRLPBF
特性：低栅极到漏极电荷， 以减少开关损耗。 完全表征的电容， 包括有效输出电容Coss， 以简化设计。 完全表征的雪崩电压和电流。 典型导通电阻RDS(on) = 12mΩ。 应用：高频DC-DC转换器。 UPS和电机控制
品牌
Infineon
封装
D2PAK
库存
52
货期
现货
IRF8010STRLPBF参数
| 封装 | D2PAK |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 52 |
IRF8010STRLPBF概述
特性：低栅极到漏极电荷， 以减少开关损耗。 完全表征的电容， 包括有效输出电容Coss， 以简化设计。 完全表征的雪崩电压和电流。 典型导通电阻RDS(on) = 12mΩ。 应用：高频DC-DC转换器。 UPS和电机控制
IRF8010STRLPBF特性
暂无产品特性。
IRF8010STRLPBF应用领域
暂无应用领域。