IRF7842TRPBF-VB
IC
SOP-8
可供量大可议
IRF7842TRPBF-VB
N—Channel沟道, 󺺆 򏟋 V, 󗙻 򑵼 A, RDS(ON), 󺺆 񄂹 𢺫 mΩ@󗙻 򏟋 V, 𮧂 񄂹 𢺫 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V)； 󗙻 񄂹 񤗸 󗙻 Vth(V) 封装：SOP򑵼
品牌
VBsemi
封装
SOP-8
库存
50
货期
现货
IRF7842TRPBF-VB参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
| 批次 | 24+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V； 5.7mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 输入电容(Ciss) | 985pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 205pF |
| 商品型号 | IRF7842TRPBF-VB |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 耗散功率(Pd) | 5W |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V； 8nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF |
| 类型 | N沟道 |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:40V 电流:18A |
| 封装 | SO-8 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000286 |
IRF7842TRPBF-VB概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。 它符合AEC-Q101标准， 具备生产件批准程序（PPAP）支持， 非常适用于：电机控制、电源管理功能
IRF7842TRPBF-VB特性
- 符合IEC 61249-2-21标准的无卤产品
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
IRF7842TRPBF-VB应用领域
- 笔记本电脑CPU核心——高端开关