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IRF7831PBF-HXY
IC

SOP-8

可供量大可议

IRF7831PBF-HXY

这款N沟道场效应管具备30V耐压能力与30A电流承载力, 核心优势在于极低的导通电阻(3.3mΩ)。 这一特性大幅降低了功率传输路径上的能量损耗与热积累, 使其在紧凑的电路设计中也能保持稳定的电气性能。 器件支持±20V的栅源电压, 为驱动电路设计提供了宽泛的安全操作区间。 在实际应用中, 该器件常用于DC-DC降压或升压转换电路, 利用其低阻抗特性提升电源转换效率。 同时, 它也是电池保护模块中的关键组件, 负责执行充放电回路的通断控制。 此外, 在各类负载开关及电机驱动应用中, 它也能提供可靠的电流切换支持。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOP-8

库存

48

货期

现货

IRF7831PBF-HXY参数

封装SOP-8
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

IRF7831PBF-HXY概述

这款N沟道场效应管具备30V耐压能力与30A电流承载力, 核心优势在于极低的导通电阻(3.3mΩ)。 这一特性大幅降低了功率传输路径上的能量损耗与热积累, 使其在紧凑的电路设计中也能保持稳定的电气性能。 器件支持±20V的栅源电压, 为驱动电路设计提供了宽泛的安全操作区间。 在实际应用中, 该器件常用于DC-DC降压或升压转换电路, 利用其低阻抗特性提升电源转换效率。 同时, 它也是电池保护模块中的关键组件, 负责执行充放电回路的通断控制。 此外, 在各类负载开关及电机驱动应用中, 它也能提供可靠的电流切换支持。

IRF7831PBF-HXY特性

暂无产品特性。

IRF7831PBF-HXY应用领域

暂无应用领域。

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