IRF7769L1TRPBF

将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装相结合， 在占地面积小于D2PAK且厚度仅为0.7mm的封装中实现了最低的导通电阻。 DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何形状、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。 DirectFET封装允许双面冷却， 以最大限度地提高电力系统中的热传递。 针对高频开关和同步整流应用进行了优化。 器件中减少的总损耗与高水平的热性能相结合， 可实现高效率和低温， 这是提高系统可靠性的关键， 使该器件非常适合高性能电源转换器。