IRF7748L1TRPBF

IRF7748L1TRPbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET™封装相结合， 在封装尺寸小于D2PAK且高度仅为0.7 mm的情况下实现了极低的导通电阻。 当遵循应用笔记AN 1035中关于制造方法和工艺的说明时， DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。