IRF7739L1TRPBF
IC
MG-WDSON-11
可供量大可议
IRF7739L1TRPBF
IRF7739L1TRPbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET™封装相结合， 在封装尺寸小于D²PAK且高度仅为0.7mm的情况下实现了极低的导通电阻。 当遵循应用笔记AN - 1035中有关制造方法和工艺的说明时， DirectFET封装与电源应用中现有的布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。 DirectFET封装支持双面散热， 可最大程度提高电源系统的热传递效率
品牌
Infineon
封装
MG-WDSON-11
库存
489
货期
现货
IRF7739L1TRPBF参数
| 封装 | MG-WDSON-11 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 489 |
IRF7739L1TRPBF概述
IRF7739L1TRPbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET™封装相结合， 在封装尺寸小于D²PAK且高度仅为0.7mm的情况下实现了极低的导通电阻。 当遵循应用笔记AN - 1035中有关制造方法和工艺的说明时， DirectFET封装与电源应用中现有的布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。 DirectFET封装支持双面散热， 可最大程度提高电源系统的热传递效率
IRF7739L1TRPBF特性
暂无产品特性。
IRF7739L1TRPBF应用领域
暂无应用领域。