IRF7501TRPBF
IC
MSOP-8
可供量大可议
IRF7501TRPBF
第五代HEXFET采用先进的加工技术， 以实现单位硅片面积极低的导通电阻。 这一优势， 再结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计， 为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件， 可广泛应用于各种领域。 全新的Micro8封装， 其占位面积仅为标准SO - 8的一半， 是小外形集成电路（SOIC）轮廓中占位面积最小的封装
品牌
Infineon
封装
MSOP-8
库存
2
货期
现货
IRF7501TRPBF参数
| 封装 | MSOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
IRF7501TRPBF概述
第五代HEXFET采用先进的加工技术， 以实现单位硅片面积极低的导通电阻。 这一优势， 再结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计， 为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件， 可广泛应用于各种领域。 全新的Micro8封装， 其占位面积仅为标准SO - 8的一半， 是小外形集成电路（SOIC）轮廓中占位面积最小的封装
IRF7501TRPBF特性
暂无产品特性。
IRF7501TRPBF应用领域
暂无应用领域。