IRF7455PBF-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
IRF7455PBF-HXY
IRF7455PbF MOS管采用先进的N沟道技术与紧凑型SOP-8封装， 专为高效率电源转换和电机驱动设计。 此款器件具备强大的电性参数， 额定电压VDSS为30V， 连续电流ID高达18A， 展现出卓越的负载承载能力。 尤其值得一提的是， 其超低的导通电阻仅5.5mR， 大大提升了系统工作效率并降低了能耗， 是高功率应用场合的理想组件选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
40
货期
现货
IRF7455PBF-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
IRF7455PBF-HXY概述
IRF7455PbF MOS管采用先进的N沟道技术与紧凑型SOP-8封装， 专为高效率电源转换和电机驱动设计。 此款器件具备强大的电性参数， 额定电压VDSS为30V， 连续电流ID高达18A， 展现出卓越的负载承载能力。 尤其值得一提的是， 其超低的导通电阻仅5.5mR， 大大提升了系统工作效率并降低了能耗， 是高功率应用场合的理想组件选择。
IRF7455PBF-HXY特性
暂无产品特性。
IRF7455PBF-HXY应用领域
暂无应用领域。