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IRF7424GTRPBF-HXY
IC

SOP-8

可供量大可议

IRF7424GTRPBF-HXY

该P沟道场效应管具备30V漏源击穿电压与12A连续漏极电流, 导通电阻低至10mΩ。 其低阻抗特性有效降低导通损耗, 提升电源转换效率。 适用于笔记本电脑电池保护、便携式设备电源开关及液晶显示偏压控制等场景, 在有限空间内实现高效电流管理与热性能优化。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOP-8

库存

40

货期

现货

IRF7424GTRPBF-HXY参数

封装SOP-8
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存40

IRF7424GTRPBF-HXY概述

该P沟道场效应管具备30V漏源击穿电压与12A连续漏极电流, 导通电阻低至10mΩ。 其低阻抗特性有效降低导通损耗, 提升电源转换效率。 适用于笔记本电脑电池保护、便携式设备电源开关及液晶显示偏压控制等场景, 在有限空间内实现高效电流管理与热性能优化。

IRF7424GTRPBF-HXY特性

暂无产品特性。

IRF7424GTRPBF-HXY应用领域

暂无应用领域。

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