IRF7424GTRPBF-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
IRF7424GTRPBF-HXY
该P沟道场效应管具备30V漏源击穿电压与12A连续漏极电流, 导通电阻低至10mΩ。 其低阻抗特性有效降低导通损耗, 提升电源转换效率。 适用于笔记本电脑电池保护、便携式设备电源开关及液晶显示偏压控制等场景, 在有限空间内实现高效电流管理与热性能优化。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
40
货期
现货
IRF7424GTRPBF-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
IRF7424GTRPBF-HXY概述
该P沟道场效应管具备30V漏源击穿电压与12A连续漏极电流, 导通电阻低至10mΩ。 其低阻抗特性有效降低导通损耗, 提升电源转换效率。 适用于笔记本电脑电池保护、便携式设备电源开关及液晶显示偏压控制等场景, 在有限空间内实现高效电流管理与热性能优化。
IRF7424GTRPBF-HXY特性
暂无产品特性。
IRF7424GTRPBF-HXY应用领域
暂无应用领域。
