IRF7410TRPBF-VB
IC
SO-8
可供量大可议
IRF7410TRPBF-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单P通道功率MOSFET， 采用Trench技术， 适用于需要高效能、稳定性和可靠性的电源管理、开关控制和功率放大等应用。 SOP8； P—Channel沟道, -12V； -16A； RDS(ON)=5mΩ@VGS=4.5V, VGS=8V； Vth=-0.5~1V
品牌
VBsemi
封装
SO-8
库存
100
货期
现货
IRF7410TRPBF-VB参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 12V |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@5V |
| 类型 | P沟道 |
| 商品型号 | IRF7410TRPBF-VB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000122 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 商品名称 | 1个P沟道 耐压:12V 电流:10A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
IRF7410TRPBF-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单P通道功率MOSFET， 采用Trench技术， 适用于需要高效能、稳定性和可靠性的电源管理、开关控制和功率放大等应用。 SOP8； P—Channel沟道, -12V； -16A； RDS(ON)=5mΩ@VGS=4.5V, VGS=8V； Vth=-0.5~1V
IRF7410TRPBF-VB特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
IRF7410TRPBF-VB应用领域
- 负载开关-电池开关