IRF7403PBF-HXY

IRF7403PbF N沟道MOSFET采用SOP-8封装， 专为高效率、大电流应用设计。 该器件拥有30V的最大漏源电压(VDSS)， 可稳定传输8.5A连续电流， 并具有仅14mΩ的导通电阻， 确保在高强度负载下仍保持出色的能效和低损耗。 广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等多领域， 以其强大的电流处理能力和卓越的电气性能， 成为优化电路设计的理想半导体元件。