IRF7389TRPBF-HXY

本产品为N+P沟道场效应管（MOSFET）， 具备7A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 适用于中功率电源管理与转换场景。 导通电阻（RDON）低至25mΩ， 有效降低导通损耗， 提高系统效率。 器件采用复合沟道设计， 在兼顾性能的同时提升了开关稳定性， 适合用于电源适配器、充电设备、DC-DC转换模块及各类便携式电子设备中的功率控制电路。