IRF7343TRPBF
IC
SO-8
可供量大可议
IRF7343TRPBF
场效应管(MOSFET) 2W 55V 4.7A； 3.4A 1个N沟道+1个P沟道
品牌
Infineon
封装
SO-8
库存
45,544
货期
现货
IRF7343TRPBF参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 输入电容(Ciss) | 740pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 45,544 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 55V |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
IRF7343TRPBF概述
场效应管(MOSFET) 2W 55V 4.7A； 3.4A 1个N沟道+1个P沟道
IRF7343TRPBF特性
暂无产品特性。
IRF7343TRPBF应用领域
暂无应用领域。