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IRF7342TRPBF
IC

SO-8

可供量大可议

IRF7342TRPBF

场效应管(MOSFET) 2W 55V 3.4A 2个P沟道

品牌

Infineon

封装

SO-8

库存

15,887

货期

现货

IRF7342TRPBF参数

封装SO-8
品牌Infineon(英飞凌)
批次26+
数量2个P沟道
导通电阻(RDS(on))95mΩ@10V; 150mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th))1V
输入电容(Ciss)690pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)210pF
分类场效应管(MOSFET)
库存15,887
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)55V
耗散功率(Pd)2W
栅极电荷量(Qg)26nC@10V
反向传输电容(Crss)86pF
类型P沟道

IRF7342TRPBF概述

场效应管(MOSFET) 2W 55V 3.4A 2个P沟道

IRF7342TRPBF特性

暂无产品特性。

IRF7342TRPBF应用领域

暂无应用领域。

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