IRF7341PBF-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
IRF7341PBF-HXY
型号IRF7341PbF 的N+N沟道MOS管采用SOP-8封装， 专为高效能、大电流应用设计。 该器件的最大工作电压VDSS高达60V， 连续电流ID能力为6.5A， 胜任高压大电流环境下的稳定运行。 导通电阻RD(on)低至32mR， 有效减少功率损耗， 提升系统整体能效。 广泛应用于电源转换、电机驱动、逆变器等领域， 是工程师追求高性能、节能解决方案的理想MOS管选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
392
货期
现货
IRF7341PBF-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 392 |
IRF7341PBF-HXY概述
型号IRF7341PbF 的N+N沟道MOS管采用SOP-8封装， 专为高效能、大电流应用设计。 该器件的最大工作电压VDSS高达60V， 连续电流ID能力为6.5A， 胜任高压大电流环境下的稳定运行。 导通电阻RD(on)低至32mR， 有效减少功率损耗， 提升系统整体能效。 广泛应用于电源转换、电机驱动、逆变器等领域， 是工程师追求高性能、节能解决方案的理想MOS管选择。
IRF7341PBF-HXY特性
暂无产品特性。
IRF7341PBF-HXY应用领域
暂无应用领域。