IRF7317TRPBF

第五代HEXFET采用先进的处理技术， 在每单位硅面积上实现极低的导通电阻。 结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计， 为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件， 可用于各种应用。 SO-8通过定制的引线框架进行了改进， 具有增强的热特性和多芯片能力， 使其非常适合各种电源应用。 通过这些改进， 多个器件可以在应用中使用， 大大减少了电路板空间。 该封装设计用于气相、红外或波峰焊接技术。