IRF7311TRPBF-HXY

本款N+N沟道场效应管（MOSFET）具备20V的漏源击穿电压（VDSS）与21mΩ的导通电阻（RDON）， 可持续承载最高6A的漏极电流（ID）。 该器件内部集成双N沟道结构， 有助于简化外围电路设计并提升开关效率。 其低导通电阻有效减少导通损耗， 适用于电源转换、负载开关、电池管理及小型电机控制等应用场景， 特别适合对体积与效率有要求的消费类电子和便携式设备使用。