IRF7306TRPBF
IC
SO-8
可供量大可议
IRF7306TRPBF
第五代HEXFET采用先进的加工技术， 以实现单位硅面积尽可能低的导通电阻。 这一优势， 再结合HEXFET功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计， 为设计师提供了一种极其高效的器件， 可用于各种应用。 SO - 8通过定制的引线框架进行了改进， 以增强热特性和多芯片能力， 使其成为各种电源应用的理想选择
品牌
Infineon
封装
SO-8
库存
2,009
货期
现货
IRF7306TRPBF参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2009 |
IRF7306TRPBF概述
第五代HEXFET采用先进的加工技术， 以实现单位硅面积尽可能低的导通电阻。 这一优势， 再结合HEXFET功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计， 为设计师提供了一种极其高效的器件， 可用于各种应用。 SO - 8通过定制的引线框架进行了改进， 以增强热特性和多芯片能力， 使其成为各种电源应用的理想选择
IRF7306TRPBF特性
暂无产品特性。
IRF7306TRPBF应用领域
暂无应用领域。