IRF7301TRPBF-VB
IC
SO-8
可供量大可议
IRF7301TRPBF-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款双N型MOSFET， 采用Trench工艺， 适用于需要高性能开关的电路和模块等领域。 SOP8； 2个N—Channel沟道, 20V； 7.1A； RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V, VGS=12V； Vth=0.6~1.5V
品牌
VBsemi
封装
SO-8
库存
100
货期
现货
IRF7301TRPBF-VB参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF |
| 类型 | N沟道 |
| 商品型号 | IRF7301TRPBF-VB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.0004 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
| 数量 | 2个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@4.5V； 26mΩ@2.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 输入电容(Ciss) | 600pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 商品名称 | 2个N沟道 耐压:20V 电流:7.1A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
IRF7301TRPBF-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款双N型MOSFET， 采用Trench工艺， 适用于需要高性能开关的电路和模块等领域。 SOP8； 2个N—Channel沟道, 20V； 7.1A； RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V, VGS=12V； Vth=0.6~1.5V
IRF7301TRPBF-VB特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行栅极电阻(Rg)测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
IRF7301TRPBF-VB应用领域
- 初级侧开关