IRF6715MTRPBF
IC
MG-WDSON-5
可供量大可议
IRF6715MTRPBF
IRF6715MPbF 将最新的 HEXFET 功率 MOSFET 硅技术与先进的 DirectFETTM 封装相结合， 在具有 SO - 8 封装尺寸且厚度仅为 0.6 毫米的封装中实现了最低的导通电阻。 当遵循应用笔记 AN - 1035 中的制造方法和工艺时， DirectFET 封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB 组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。 DirectFET 封装支持双面散热， 可最大化电力系统中的热传递， 将先前的最佳热阻降低 80%
品牌
Infineon
封装
MG-WDSON-5
库存
20
货期
现货
IRF6715MTRPBF参数
| 封装 | MG-WDSON-5 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
IRF6715MTRPBF概述
IRF6715MPbF 将最新的 HEXFET 功率 MOSFET 硅技术与先进的 DirectFETTM 封装相结合， 在具有 SO - 8 封装尺寸且厚度仅为 0.6 毫米的封装中实现了最低的导通电阻。 当遵循应用笔记 AN - 1035 中的制造方法和工艺时， DirectFET 封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB 组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。 DirectFET 封装支持双面散热， 可最大化电力系统中的热传递， 将先前的最佳热阻降低 80%
IRF6715MTRPBF特性
暂无产品特性。
IRF6715MTRPBF应用领域
暂无应用领域。