IRF6644TRPBF
IC
DirectFET
可供量大可议
IRF6644TRPBF
IRF6644PbF将最新的HEXFET®功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET®封装相结合， 在具有SO - 8封装尺寸且高度仅为0.7 mm的封装中实现了最低的导通电阻。 若遵循应用笔记AN - 1035中有关制造方法和工艺的说明， DirectFET®封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。 DirectFET®封装支持双面散热， 可最大限度地提高电源系统的热传递效率， 相比之前的最佳热阻降低了80%
品牌
Infineon
封装
DirectFET
库存
66
货期
现货
IRF6644TRPBF参数
| 封装 | DirectFET |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 66 |
IRF6644TRPBF概述
IRF6644PbF将最新的HEXFET®功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET®封装相结合， 在具有SO - 8封装尺寸且高度仅为0.7 mm的封装中实现了最低的导通电阻。 若遵循应用笔记AN - 1035中有关制造方法和工艺的说明， DirectFET®封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。 DirectFET®封装支持双面散热， 可最大限度地提高电源系统的热传递效率， 相比之前的最佳热阻降低了80%
IRF6644TRPBF特性
暂无产品特性。
IRF6644TRPBF应用领域
暂无应用领域。