IRF6623TRPBF
IC
MG-WDSON-5
可供量大可议
IRF6623TRPBF
IRF6623PbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET™封装相结合， 在尺寸与MICRO - 8相同且高度仅为0.7毫米的封装中实现了最低的导通电阻。 当遵循应用笔记AN - 1035中关于制造方法和工艺的说明时， DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。 DirectFET封装支持双面散热， 可最大限度地提高电源系统的热传递效率， 将以往最佳的热阻降低80%
品牌
Infineon
封装
MG-WDSON-5
库存
13
货期
现货
IRF6623TRPBF参数
| 封装 | MG-WDSON-5 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 13 |
IRF6623TRPBF概述
IRF6623PbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET™封装相结合， 在尺寸与MICRO - 8相同且高度仅为0.7毫米的封装中实现了最低的导通电阻。 当遵循应用笔记AN - 1035中关于制造方法和工艺的说明时， DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。 DirectFET封装支持双面散热， 可最大限度地提高电源系统的热传递效率， 将以往最佳的热阻降低80%
IRF6623TRPBF特性
暂无产品特性。
IRF6623TRPBF应用领域
暂无应用领域。