IRF640PBF-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
IRF640PBF-HXY
ID:18A, VDSS:200V, RDON:120mR, VGS:20V, TYPE:N沟道
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
23
货期
现货
IRF640PBF-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 23 |
IRF640PBF-HXY概述
ID:18A, VDSS:200V, RDON:120mR, VGS:20V, TYPE:N沟道
IRF640PBF-HXY特性
暂无产品特性。
IRF640PBF-HXY应用领域
暂无应用领域。