IRF640NPBF
IC
TO-220AB
可供量大可议
IRF640NPBF
场效应管(MOSFET) 150W 200V 18A 1个N沟道
品牌
Infineon
封装
TO-220AB
库存
223,071
货期
现货
IRF640NPBF参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 输入电容(Ciss) | 1.16nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 185pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 223,071 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 200V |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF |
| 类型 | N沟道 |
IRF640NPBF概述
场效应管(MOSFET) 150W 200V 18A 1个N沟道
IRF640NPBF特性
暂无产品特性。
IRF640NPBF应用领域
暂无应用领域。